英诺激光宣布其“高功率薄片超快激光器”项目通过国家科技重大专项验收，该项目作为国家“02专项”重点支持课题，历时5年研发总投入超2亿元，其成果为国产EUV光刻光源奠定了核心基础，实现了关键技术的国产化破冰。
项目团队攻克了高功率激光增益介质制备、光束质量控制等12项关键技术，开发的激光器核心性能优异：输出功率达500W，脉冲宽度控制在100fs内，关键性能指标达国际同类产品的85%；采用全固态结构，体积较传统EUV光源缩小70%，运行稳定性较进口产品提升40%，可适配EUV光刻设备的高频率脉冲需求。
目前，项目已实现小批量生产，向国内某光刻机研发企业交付10台样机用于集成测试，累计申请专利32项（其中发明专利18项）。业内专家指出，EUV光源是光刻设备的“心脏”，英诺激光的突破打破了国外企业的技术垄断，使国产EUV光刻设备研发向前推进关键一步，预计2026年可实现产业化应用。
