中科院在半导体激光技术研讨会上宣布，其研发的固态深紫外（DUV）激光系统取得重大突破，成功输出193nm波长激光，为3nm芯片制造提供了国产化新方案，填补了国内固态DUV激光技术空白。
与传统技术相比，该系统优势显著：采用雅克晶体与KBBF晶体复合结构，通过非线性光学频率转换技术，打破了传统准分子激光器对稀有气体的依赖；体积仅为ASML传统DUV设备的1/5，占地面积从100㎡缩减至20㎡，能耗降低60%，同时规避了准分子激光的高维护成本问题。
中科院研发团队负责人介绍，系统已完成1000小时连续运行测试，激光输出稳定性达±0.5%，完全满足芯片制造的严苛要求。目前，该技术已进入中试阶段，与中芯国际达成合作协议，用于3nm工艺的小批量试产。业内专家指出，这一突破使我国在芯片光刻设备领域实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，为半导体产业自主化提供核心支撑。
